對(duì)于WM-DF任務(wù)，每次試驗(yàn)開始時(shí)固定500毫秒。然后，在固定的左右兩側(cè)分別呈現(xiàn)兩個(gè)項(xiàng)目，持續(xù)1000 ms。在500 ms空白后，在注視的一側(cè)呈現(xiàn)一個(gè)提示，持續(xù)500 ms。在4000毫秒的空白之后，搜索數(shù)組將呈現(xiàn)長達(dá)5000毫秒的時(shí)間，并在受試者按鍵后消失。在1000毫秒的空白之后，進(jìn)行記憶測試，并在2000毫秒進(jìn)行反應(yīng)（圖1）。正式實(shí)驗(yàn)包括240個(gè)試次（每種情況40個(gè)試次）。每組60個(gè)試次后，受試者進(jìn)行短暫休息（2分鐘）。

在記憶測試中，受試者被要求通過按鍵盤上的“Z”或“M”來反應(yīng)所呈現(xiàn)的項(xiàng)目是否與TBR項(xiàng)目相同。記憶測試只測試TBR（有意TBR和替代TBR）項(xiàng)的記憶。

4、TMS刺激方案
使用經(jīng)顱磁刺激儀（M-100 Ultimate，深圳英智科技有限公司，中國深圳）的八字形線圈（BY-90A）進(jìn)行10Hz的高頻刺激，刺激強(qiáng)度設(shè)置為110%的靜息運(yùn)動(dòng)閾值（RMT）。
線圈的位置根據(jù)國際10-20 EEG系統(tǒng)確定，其中F4為右側(cè)DLPFC的位置，F(xiàn)7為左側(cè)VLPFC刺激的位置，Cz代表頂點(diǎn)，由于頂點(diǎn)刺激對(duì)正在進(jìn)行的任務(wù)相關(guān)過程的影響最小，因此本研究中用作控制條件。
經(jīng)顱磁刺激分別作用在左腹外側(cè)前額葉皮層（VLPFC）、右背外側(cè)前額葉皮層（DLPFC）和頂點(diǎn)區(qū)。利用SimNIBS軟件對(duì)模擬電場進(jìn)行了圖示（圖1）。一共進(jìn)行了33次刺激，每次持續(xù)3秒，每次刺激間隔20s，在12.2 min內(nèi)的脈沖總數(shù)為990次。

5、數(shù)據(jù)分析
對(duì)于視覺搜索任務(wù)，分別以搜索類型（有意TBR匹配、被動(dòng)TBR匹配、替代TBR匹配、主動(dòng)TBR匹配、IR不匹配和IF不匹配）和刺激位置組（右DLPFC、左VLPFC和頂點(diǎn)）作為被試間因素對(duì)搜索精度和logRT進(jìn)行重復(fù)測量方差分析。不同項(xiàng)目類型的ACE是通過從匹配試驗(yàn)中減去不匹配試驗(yàn)的logRT來計(jì)算的。
對(duì)于ACE，以項(xiàng)目類型（有意TBR、被動(dòng)TBF、替代TBR和主動(dòng)TBF）作為被試內(nèi)變量，以組為被試間變量，進(jìn)行重復(fù)測量方差分析。


三、研究結(jié)果
1、視覺搜索任務(wù)的結(jié)果
對(duì)于檢索精度，方差分析顯示實(shí)驗(yàn)類型是主要影響因素。兩兩比較顯示：
(1)與替代TBR匹配和主動(dòng)TBR匹配實(shí)驗(yàn)相比，IF不匹配的準(zhǔn)確性更高。
(2)被動(dòng)TBF匹配試驗(yàn)的準(zhǔn)確性高于非IR匹配試驗(yàn)；在有意TBR匹配試驗(yàn)和IR非匹配試驗(yàn)之間沒有發(fā)現(xiàn)準(zhǔn)確性差異。各組主效應(yīng)和實(shí)驗(yàn)類型與組間交互作用均不顯著。

簡單效應(yīng)分析顯示：
(1)三組中，與IR不匹配的試驗(yàn)（即有意TBR項(xiàng)目的ACE）相比，有意TBR匹配的logRT更長。
(2)在左側(cè)VLPFC組中，被動(dòng)TBF匹配組的logRT（即被動(dòng)TBF項(xiàng)目的ACE）比IR不匹配組更長，而在頂點(diǎn)組和右側(cè)DLPFC組中則沒有。
(3)與IF不匹配試驗(yàn)相比，三組替代TBR匹配和主動(dòng)TBF匹配實(shí)驗(yàn)（即替代TBR和主動(dòng)TBF項(xiàng)目的ACE）的logRT均較長。（表1）


ACE項(xiàng)目類型與組交互作用顯著。簡單效應(yīng)分析結(jié)果表明：
(1)三組TBR（有意TBR和替代TBR）項(xiàng)目的ACE均大于TBF（被動(dòng)TBF和主動(dòng)TBF）項(xiàng)目；
(2)頂點(diǎn)組替代TBR的ACE大于有意TBR項(xiàng)目，而右DLPFC組和左VLPFC組的ACE均大于有意TBR項(xiàng)目；頂點(diǎn)組主動(dòng)TBF的ACE大于被動(dòng)TBF，但右DLPFC組和左VLPFC組的ACE均大于被動(dòng)TBF ；
(3)對(duì)于有意TBR，與頂點(diǎn)組相比，右側(cè)DLPFC 和左側(cè)VLPFC的ACE均增加。右側(cè)DLPFC組與左側(cè)VLPFC組間無差異；
(4)對(duì)于替代TBR，左側(cè)VLPFC組和頂點(diǎn)組的ACE均大于右側(cè)DLPFC組和頂點(diǎn)組。左側(cè)VLPFC與頂點(diǎn)組間無差異；
(5)對(duì)于被動(dòng)TBF，左側(cè)VLPFC與頂點(diǎn)組相比ACE值較大，但與右側(cè)DLPFC組相比ACE值較小，右側(cè)DLPFC與頂點(diǎn)組之間無差異；
(6)與頂點(diǎn)組相比，右側(cè)DLPFC組和左側(cè)VLPFC組的ACE均有所降低。右側(cè)DLPFC組和左側(cè)VLPFC組間無顯著差異（圖2）。

表1 不同組中不同搜索類型的平均搜索RT

四、研究結(jié)論
除了右側(cè)DLPFC和頂點(diǎn)組的被動(dòng)TBF項(xiàng)目外，所有項(xiàng)目類型的反應(yīng)時(shí)都比干擾物匹配實(shí)驗(yàn)（即ACE）更長。這些記憶項(xiàng)目作為搜索數(shù)組中的干擾物捕獲了受試者的注意力，表明這些項(xiàng)目被保存在工作記憶中。更重要的是，與 TBF 項(xiàng)目相比，TBR 項(xiàng)目在所有組中都表現(xiàn)出更高的 ACE 值，這表明 TBR 項(xiàng)目在記憶痕跡方面優(yōu)于 TBF 項(xiàng)目（即 DF 效應(yīng)）。這些發(fā)現(xiàn)表明，受試者能夠根據(jù)線索成功地操縱工作記憶中存儲(chǔ)的信息。
刺激右DLPFC或左VLPFC能夠促進(jìn)主動(dòng)遺忘。右側(cè)DLPFC的激活可能會(huì)改善主動(dòng)忘記（TBF）項(xiàng)目的直接抑制，從而促進(jìn)在涉及明確記憶線索的條件下對(duì)要記?。═BR）項(xiàng)目的選擇性重復(fù)。左側(cè)VLPFC的激活可以改善思維替代過程，在與明確遺忘提示有關(guān)的條件下增強(qiáng)對(duì)TBR項(xiàng)目的記憶和對(duì)TBF項(xiàng)目的記憶抑制。遺忘是一個(gè)主動(dòng)的過程，可以通過非侵入性的大腦刺激來調(diào)節(jié)。